我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术
国家第三代半导体技术创新中心（南京）经过四年自主研发，成功攻克沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，提升了导通性能约 30%，降低了芯片使用成本。该技术突破将推动新能源汽车电驱动、智能电网、光伏储能等领域的发展。
国家第三代半导体技术创新中心（南京）经过四年自主研发，成功攻克沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，提升了导通性能约 30%，降低了芯片使用成本。该技术突破将推动新能源汽车电驱动、智能电网、光伏储能等领域的发展。