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3. SK 海力士突破 HBM 堆叠层数限制，MR-MUF 和混合键合封装两手抓 9 月 4 日消息，SK 海力士封装研发副社长李康旭（Kangwook Lee）于 9 月 3...

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6. 消息称 SK 海力士启动 M16 晶圆厂扩产，目标将公司 DRAM 内存产能提升约 18% 8 月 14 日消息，综合韩媒《首尔经济日报》（上月 29 日）《朝鲜日报》（本月 13 日）报道，SK 海力士已向上游设备企业订购关键设备，目标提升...

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8. 消息称 SK 海力士专注先进 HBM 内存量产，利川 M10F 改为 HBM3E 产线 9 月 12 日消息，韩媒 The Elec 当地时间本月 4 日报道称，SK...

9. 双方 HBM 合作首度公开，三星电子、台积电正携手开发无缓冲 HBM4 内存 9 月 6 日消息，据《韩国经济日报》报道，台积电生态系统与联盟管理处处长 Dan Kochpatcharin 昨日在台北出席行业活动时表示正同三星电子合作开发无缓冲 HBM4 内存。...

10. SK 海力士开发出全球首款第六代 10 纳米级 DDR5 DRAM：相比上代速度提升 11% 8 月 29 日消息，SK 海力士今日宣布，全球首次成功开发出采用第六代 10 纳米级（1c）工艺的 16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展现了...

11. HBM 带动，三大内存原厂均跻身 2024Q1 半导体 IDM 企业营收前四 8 月 13 日消息，据 IDC 北京时间本月 7 日报告，三大内存原厂三星电子、SK 海力士、美光分列...

12. SK 海力士：美股七大科技巨头均表达定制 HBM 内存意向 8 月 20 日消息，据韩媒 MK 报道，SK 海力士负责 HBM 内存业务的副总裁...

13. SK 海力士：内存 EUV 光刻成本快速增长，考虑转向 4F2 或 3D DRAM SK 海力士研究员 Seo Jae-Wook 在会议上提出，由于 1c DRAM 开始 EUV 光刻成本激增，考虑转向...

14. imec 首次成功利用 ASML High NA EUV 光刻机实现逻辑、DRAM 结构图案化 8 月 8 日消息，比利时微电子研究中心 imec 当地时间昨日宣布，在其与 ASML 合作的 High...

15. 三星正与台积电联手开发 HBM4 台积电和三星将合作生产无缓冲高带宽内存（HBM），以提供定制芯片和服务给客户如英伟达和谷歌。这种合作有助于提高 HBM4 的能效和降低延迟，满足 AI 计算的需求。尽管在逻辑制程代工方面是竞争对手，但两公司在多晶粒封装和先进封装方面有合作。此外，三星和 SK 海力士都将允许客户自行设计基础芯片，并选择外部逻辑制程晶圆代工厂生产。这一合作可能是三星为了反击 SK 海力士成为领先 HBM...

16. 三星电子：客户可自行设计 HBM 内存基础裸片并自由选择代工方 9 月 4 日消息，据台媒 MoneyDJ理财网 报道，三星电子设备解决方案部存储器业务总裁兼总经理李祯培今日在台北出席行业活动时表示三星将在定制 HBM 内存上给予客户充分灵活自主。...

17. 三星再度回应英伟达 HBM3E 芯片报道：测试正在 「按计划」 进行 三星确认正在按计划进行 HBM 芯片测试，并与客户合作优化产品。英伟达并未批准使用三星的 8 层 HBM3E 芯片。HBM 是一种堆叠芯片的 DRAM 标准，用于人工智能...

18. 因 HBM3/3E 内存产能挤占，SK 海力士 DDR5 被曝涨价 15~20% 感谢网友 我抢了台、Hi_World 的线索投递！ 8 月 13 日消息，华尔街见闻报道称，SK 海力士已将其 […]...

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