电脑硬件
英睿达 MX500 固态硬盘被曝固件更新机制存问题，易受缓冲区溢出影响
9 月 13 日消息，根据 CVE 官网当地时间本月 4 日发布的记录信息（编号 CVE-2024-42642），采用 M3CR046 固件的英睿达 MX500 固态硬盘容易受到缓冲区溢出的影...
AMD 北京时间 10 月 11 日举行直播活动，展示新款 Instinct 加速器与霄龙 CPU
9 月 11 日消息，AMD 当地时间昨日确认，将于太平洋时间 2024 年 10 月 10 日上午 9:00（注：即北京时间 10 月 11 日凌晨 1:00）举行 Advancing AI 2024 直播...
北极雄芯：《芯粒互联接口标准》通过团标审核，预计本月公布
“启明 935”通用型 HUB Chiplet
消息称高通正探讨收购英特尔部分芯片设计业务，对 PC 业务非常感兴趣
9 月 6 日消息，据路透社今日消息，两位知情人士透露，高通公司已在探讨收购英特尔部分芯片设计业务的可能性。
美光确认启动“生产可用”版 12 层堆叠 HBM3E 36GB 内存交付
9 月 6 日消息，美光在本月发布的技术博客中表示，其“生产可用”（注：原文 production-capable）的 12 层堆叠 HBM3E 36GB 内存现正向主要行业合作伙伴交付，...
三星电子计划 2027 年推出 0a nm DDR 内存，2026 年推出 HBM4E
9 月 5 日消息，据《韩国先驱报》报道，三星电子 DS 部门存储器业务总裁兼总经理李祯培昨日在台湾地区出席业界活动时展示了三星未来内存产品路线图。
南亚科技预计全年内存位元出货量同比增幅超两成，正规划 EUV 工艺
9 月 5 日消息，台湾地区 DRAM 内存企业南亚科技本月 3 日公布今年 8 月合并营收 28.02 亿新台币（备注：当前约 6.2 亿元人民币），环比增长 2.07%、同比增长...
三星电子：客户可自行设计 HBM 内存基础裸片并自由选择代工方
9 月 4 日消息，据台媒 MoneyDJ理财网 报道，三星电子设备解决方案部存储器业务总裁兼总经理李祯培今日在台北出席行业活动时表示三星将在定制 HBM 内存上给予...
TrendForce：三星电子 HBM3E 内存已获英伟达验证，8Hi 产品开始出货
9 月 4 日消息，TrendForce 集邦咨询在昨日报告中表示，三星电子的 HBM3E 内存产品“已完成验证，并开始正式出货 HBM3E 8Hi（注：即 24GB 容量），主要用于 H2...
消息称三星电子、SK 海力士堆叠式移动内存 2026 年后商业化
9 月 3 日消息，韩媒 etnews 当地时间昨日报道称，三星电子和 SK 海力士的“类 HBM 式”堆叠结构移动内存产品将在 2026 年后实现商业化。
1
2